BFU660F,115

Name: BFU660F,115
Brand: 恩智浦 (NXP)
SKU: 7089906-BFU660F,115
Price: 4.056024 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 60毫安集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 225毫瓦特征频率: 21GHz 供应商设备包装: 4-DFP
品牌: 恩智浦 (NXP)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	4.05602	4.05602
10+	3.49832	34.98321
100+	2.61251	261.25140
500+	2.53284	1266.42100
3000+	2.44397	7331.91600

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规格参数

部件状态可供货
晶体管类别 NPN
制造厂商恩智浦 (NXP)
工作温度 150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
集电极击穿电压 5.5V
特征频率 21GHz
包装/外壳 SOT-343F
供应商设备包装 4-DFP
最大功率 225毫瓦
最大集电极电流 (Ic) 60毫安
噪声系数 (dB) 频率 (f) 1.5GHz~5.8GHz时0.6分贝~1.2分贝
增益 12分贝~21分贝
最小直流增益 90 @ 10毫安, 2V

BFU660F,115 产品详情

NPN硅微波晶体管适用于塑料、4针双发射极SOT343F封装中的高速、低噪声应用。

特色

40 GHz fT硅技术
1.8 GHz时的高输出三阶截距点27 dBm
低噪声高线性RF晶体管

目标应用程序

模拟/数字无绳应用
LTE、蜂窝、UMTS
SDARS第二级LNA
X波段高输出缓冲放大器
ZigBee公司

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型号	制造商	描述	价格
BFU520AR	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB)	¥2.20112
BFU630F,115	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 200mW 特征频率: 21GHz 供应商设备包装: 4-DFP	¥4.56303
BFU550XRR	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143R	¥1.19725
BFU520WF	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SC-70	¥1.66448
BFU610F,115	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10毫安集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 136毫瓦特征频率: 15GHz 供应商设备包装: 4-DFP	¥3.04202
BFU520YX	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: 2 NPN（双）最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: 6-TSSOP	¥5.18116
BFU530XAR	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 40毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143B	¥2.89716
BFU768F,115		BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G	¥0.97171
BFU550WF		BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R	¥1.22101
BFU550WX		BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R	¥2.12572

BFU660F,115所属分类：双极射频晶体管，BFU660F,115 由恩智浦 (NXP) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BFU660F,115价格参考￥4.056024，你可以下载 BFU660F,115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BFU660F,115规格参数、现货库存、封装信息等信息！