BFU730F,115

Name: BFU730F,115
Brand: 恩智浦 (NXP)
SKU: 7089959-BFU730F,115
Price: 1.570985 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 2.8伏最大功率: 197毫瓦特征频率: 55GHz 供应商设备包装: 4-DFP
品牌: 恩智浦 (NXP)
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规格参数

增益 -
部件状态可供货
晶体管类别 NPN
制造厂商恩智浦 (NXP)
工作温度 150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
最大集电极电流 (Ic) 30毫安
包装/外壳 SOT-343F
供应商设备包装 4-DFP
特征频率 55GHz
集电极击穿电压 2.8伏
噪声系数 (dB) 频率 (f) 5.8GHz~12GHz时为0.8分贝~1.3分贝
最大功率 197毫瓦
最小直流增益 205@2毫安，2V

BFU730F,115 产品详情

NPN硅锗微波晶体管，适用于塑料、4针双发射极SOT343F封装中的高速、低噪声应用。

特色

110 GHz fT硅锗技术
5.8 GHz时的高最大功率增益18.5 dB
低噪声高增益微波晶体管
5.8 GHz时的噪声系数（NF）=0.8 dB

目标应用程序

DBS LNB中的第二LNA级和混频器级
美国汽车制造商协会
蓝牙
调频收音机
全球定位系统
Ka波段振荡器
配备低电流电池的应用
微波通信系统用低噪声放大器
LTE、蜂窝、UMTS
微波驱动器/缓冲器应用
移动电视
RKE公司
SDARS第一级LNA
Wi-Fi/WLAN/WiMAX
ZigBee公司

BFU730F,115 相关器件

型号	制造商	描述	价格
BFU520AR	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB)	¥2.20112
BFU630F,115	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 200mW 特征频率: 21GHz 供应商设备包装: 4-DFP	¥4.56303
BFU550XRR	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143R	¥1.19725
BFU520WF	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SC-70	¥1.66448
BFU610F,115	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10毫安集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 136毫瓦特征频率: 15GHz 供应商设备包装: 4-DFP	¥3.04202
BFU520YX	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: 2 NPN（双）最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: 6-TSSOP	¥5.18116
BFU530XAR	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 40毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143B	¥2.89716
BFU768F,115		BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G	¥0.97171
BFU550WF		BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R	¥1.22101
BFU550WX		BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R	¥2.12572

BFU730F,115所属分类：双极射频晶体管，BFU730F,115 由恩智浦 (NXP) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BFU730F,115价格参考￥1.570985，你可以下载 BFU730F,115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BFU730F,115规格参数、现货库存、封装信息等信息！