BFU530AR

Name: BFU530AR
Brand: 恩智浦 (NXP)
SKU: 7089995-BFU530AR
Price: 4.273311 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 40毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB)
品牌: 恩智浦 (NXP)
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规格参数

部件状态可供货
晶体管类别 NPN
集电极击穿电压 12伏
制造厂商恩智浦 (NXP)
安装类别表面安装
增益 18分贝
最大功率 450mW
工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备包装 SOT-23 (TO-236AB)
最大集电极电流 (Ic) 40毫安
特征频率 11GHz
最小直流增益 60 @ 10毫安, 8V
噪声系数 (dB) 频率 (f) 0.6分贝@900MHz

BFU530AR 产品详情

NPN硅RF晶体管，适用于塑料、4工业发射极SOT143B封装中的高速、低噪声应用。

BFU530AR是BFU5系列晶体管的一部分，适用于高达2GHz的小信号到中等功率应用。

特色

低噪声、高击穿RF晶体管
AEC-Q101合格
900 MHz时的最小噪声系数（NFmin）=0.7 dB
900 MHz时的最大稳定增益21.5 dB
11 GHz fT硅技术

目标应用程序

需要高电源电压和高击穿电压的应用
高达2GHz的宽带放大器
ISM应用的低噪声放大器
ISM波段振荡器

BFU530AR 相关器件

型号	制造商	描述	价格
BFU520AR	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB)	¥2.20112
BFU630F,115	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 200mW 特征频率: 21GHz 供应商设备包装: 4-DFP	¥4.56303
BFU550XRR	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143R	¥1.19725
BFU520WF	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SC-70	¥1.66448
BFU610F,115	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10毫安集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 136毫瓦特征频率: 15GHz 供应商设备包装: 4-DFP	¥3.04202
BFU520YX	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: 2 NPN（双）最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: 6-TSSOP	¥5.18116
BFU530XAR	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 40毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143B	¥2.89716
BFU768F,115		BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G	¥0.97171
BFU550WF		BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R	¥1.22101
BFU550WX		BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R	¥2.12572

BFU530AR所属分类：双极射频晶体管，BFU530AR 由恩智浦 (NXP) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BFU530AR价格参考￥4.273311，你可以下载 BFU530AR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BFU530AR规格参数、现货库存、封装信息等信息！