Microchip AT28C010-25EM/883是一种高性能的1兆位并行EEPROM，可用于工业和军用温度范围，提供120ns的访问时间，功耗为220mW（440mW军用）。取消选择后，CMOS待机电流小于200µA（300µA）。在没有外部组件的情况下，读取或写入周期访问静态RAM；一个128字节的页寄存器，允许同时写入多达128字节。具有内部纠错电路，可延长耐久性并提高数据保留率。可选的软件数据保护机制可防止意外写入；并且额外的128字节EEPROM能够实现设备识别或跟踪。
AT28C010-25EM/883也可提供双标记（如适用），带有相应的标准军用图纸编号-5962-38270xxMxx。请参阅单独的MIL数据表以了解准确的可用性。
特色
- 128 Kbits x 8（1兆位）
- 5V±10%电源
- 并行接口
- 120ns访问时间
- 自定时擦除和写入周期（最长10毫秒）
- 页面写入和字节写入
- 写入结束检测的数据轮询
- 低功耗
- 读/写电流40 mA（最大值）
- 待机电流TTL 2 mA（最大），CMOS 200μA（最大）
- 写入保护
- 硬件数据保护
- 软件数据保护
- 高耐久性选项100000次擦除/写入周期
- 数据保留期>10年
- 温度范围
- 标准温度范围：-40°C至85°C
- 军用温度范围：-55°C至125°C
- 提供绿色（无铅/卤化物）包装
- 32引线，塑料J引线芯片载体（PLCC）
- 32引线，塑料薄小外形封装（TSOP）
- 提供双标记（5962-382670xxx）陶瓷密封包装
- 32引线，0.600“宽，无窗口，陶瓷双列直插式（Cerdip）
- 32铅，无窗口，陶瓷底部钎焊扁平封装（扁平封装）
- 32垫，无窗，陶瓷，无引线芯片载体（LCC）
