9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVMUN5211DW1T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSVMUN5211DW1T3G参考价格为0.41000美元。onsemi NSVMUN5211DW1T3G包装/规格：TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88。您可以下载NSVMUN5211DW1T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSVMUN5137DW1T1G，带引脚细节，包括MUN5137DW1系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SC-88/SC70-6/SOT-363，以及250mW最大功率，该器件也可以用作2 PNP-预偏置（双）晶体管类型。此外，集电器Ic最大值为100mA，该设备提供50V电压集电器-发射极击穿最大值，该设备具有47k电阻基极R1欧姆，电阻发射极基极R2欧姆为22k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为250mV@300μa，10mA，集电器截止最大值为500nA。
带有用户指南的NSVMUN5133DW1T1G，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@300μa、10mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 PNP-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，电阻器-发射极基极R2欧姆设计为47k，除了4.7k电阻基极R1欧姆外，该器件还可以用作250mW最大功率。此外，封装为磁带和卷轴（TR），该器件采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件具有安装型表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA、10V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止值最大值为500nA。
带有电路图的NSVMUN5135DW1T1G，包括500nA集电器最大截止电流，它们设计用于100mA集电器Ic Max、DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于80@5mA、10V，提供表面安装等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作250mW的最大功率。此外，电阻基极R1欧姆为2.2k，该器件提供47k电阻发射极基极R2欧姆，该器件具有供应商器件封装的SC-88/SC70-6/SOT-363，晶体管类型为2 PNP-预偏置（双），Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@300μa，10mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
