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BF 771 E6327是双极晶体管-BJT NPN RF晶体管12V 80mA 580mW，包括BF771系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BF771E6327HTSA1 BF771E6329XT SP000010967，提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-23-3封装盒，该设备也可以用作单一配置。此外，Pd功耗为580 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为12 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为20 V，发射极基极电压VEBO为2 V，最大直流集电极电流为0.08 A，并且增益带宽乘积fT为8000MHz，并且连续集电极电流为0.08A，并且DC集电极基极增益hfe Min在30mA和8V时为70。
BF 2040 E6814是RF MOSFET晶体管硅N沟道MOSFET四极管5V，包括7 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在8 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF小信号MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及BF2040系列，该器件也可以用作200mW Pd功率耗散。此外，零件别名为BF2040E6814HTSA1 BF2040E5814XT SP000012215，该设备采用卷筒包装，该设备具有SOT-143封装盒，输出功率为200mW，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为0.04 a，并且增益为1GHz并且前向跨导Min为37mS。
BF 2040W H6814是RF MOSFET晶体管RF MOSFET，包括23 dB增益，它们设计为以40 mA Id连续漏电流工作，其最大工作温度范围为+150 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，工作频率设计为1 GHz，以及SOT-343封装盒，该器件也可用作卷筒封装。此外，零件别名为BF2040WH6814XT BF2040WH8814XTSA1 SP000753844，该器件提供200mW Pd功耗，该器件具有串联的BF2040，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF小信号MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为10V，Vgs栅极-源极电压为6V。
BF 770A E6327是TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23，包括TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，它们设计用于带卷（TR）封装，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供PG-SOT23-3等供应商设备封装功能，晶体管类型设计用于NPN，以及90mA集流器Ic Max，该器件还可以用作9.5dB～14.5dB增益。此外，直流电流增益hFE最小Ic Vce为70@30mA，8V，该设备在6GHz频率转换中提供，该设备最大功率为300mW，电压收集器发射器击穿最大值为12V，噪声系数dB Typ f为1.5dB~2.6dB@900MHz~1.8GHz。
