9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SCH2201-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SCH2201-TL-E参考价格为0.15000美元。onsemi SCH2201-TL-E包装/规格：晶体管。您可以下载SCH2201-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SCH2080KEC是MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247，包括SCH2080KE系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，封装外壳设计用于TO-247-3，以及SiC技术，其工作温度范围为175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为262W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为1200V（1.2kV），输入电容Ciss Vds为1850pF@800V，FET特性为碳化硅（SiC），电流连续漏极Id 25°C为40A（Tc），Rds On Max Id Vgs为117 mOhm@10A，18V，Vgs th Max Id为4V@4.4mA，栅极电荷Qg Vgs为106nC@18V，Pd功耗为179W，下降时间为28ns，上升时间为33ns，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为80m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为37ns，Qg栅极电荷为106nC，正向跨导最小值为3.7S。
SCH2102-TL-E是TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SCH，包括12V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300mV@10mA、200mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 PNP（双），提供供应商设备包功能，如6-SCH，功率最大值设计为400mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作6-SMD、扁平引线封装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备提供490MHz频率转换，该设备具有300@10mA、2V直流电流增益hFE最小Ic-Vce，集电器Ic最大值为500mA，集电器截止值最大值为100nA（ICBO）。
SCH2101-TL-E，带有SANYO制造的电路图。SCH2101-TL-E在SCH6封装中提供，是IC芯片的一部分。
