9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTN2007GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTN2007GTA参考价格为0.87000美元。Diodes Incorporated ZXTN2007GTA封装/规格：TRANS NPN 30V 7A SOT223。您可以下载ZXTN2007GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXTN2005GTA是TRANS NPN 25V 7A SOT223，包括ZXTN2005系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-223，以及单一配置，该设备也可以用作3 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为25 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为60 V，发射极基极电压VEBO为7 V，最大直流集电极电流为7 a，增益带宽乘积fT为150 MHz，并且连续集电极电流为7A，并且DC集电极基极增益hfe Min在10mA时为300，在1V时为300。
ZXTN2005ZTA是TRANS NPN 25V 5.5A SOT89，包括0.001834 oz单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如ZXTN2005中使用的数据表注释所示，该产品具有2100 mW等Pd功率耗散功能，包装设计用于卷筒，以及SOT-89封装盒，该设备也可以用作SMD/SMT安装类型，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为5.5 a，增益带宽积fT为150 MHz，发射极基极电压VEBO为7 V，直流电流增益hFE Max为300，直流集电极基极增益hFE Min为200，连续集电极电流5.5 a，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为25 V，集电极发射极饱和电压为200 mV，集电极基极电压VCBO为60 V。
ZXTN2005，带有ZETEX制造的电路图。ZXTN2005以SOT-89封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
