| SS8 | 克莱因工具 (Klein) | NUT DRIVER HEX SKT 1/4" 3.75" | ¥75.97802 |
| SS81CA | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 技术: 霍尔效应 输出类别: 模拟电压 电源电压: 4.5伏~24伏 最大供电电流: 8.7毫安 | ¥27.99876 |
| SS85CA | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 技术: 霍尔效应 功能: 单极开关 电源电压: -24伏~28伏 最大供电电流: 22毫安 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度 | ¥294.64117 |
| SS83D01G9 | 希凯 (C&K) | SWITCH SLIDE | ¥17.50874 |
| SS827M2R5E0800 | 荣誉 (HONOR) | 容值:820uF 精度:±20% 额定电压:2.5V 纹波电流:4.1A@100kHz 等效串联电阻:16mΩ@100kHz | ¥0.79577 |
| SS8550 Y2 | 创基 (CBI) | 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V Y2 200-350 | ¥0.09963 |
| SS8050 | 伯恩半导体 (BORN) | 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V H档(200-350) | ¥0.10068 |
| SS8050 Y1 | 创基 (CBI) | 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V Y1(Y1表示丝印) SOT-23 | ¥0.08268 |
| SS8550 | 固得沃克 (GOODWORK) | 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW SOT-23 | ¥0.03694 |
| SS8050W Y1 | 创基 (CBI) | Y1(Y1表示丝印) | ¥0.13715 |