9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DXT5551P5-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DXT5551P5-13参考价格为0.51000美元。Diodes Incorporated DXT5551P5-13包装/规格：TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5。您可以下载DXT5551P5-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DXT5401-13是TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3，包括DXT5401系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001834盎司，提供to-243AA等包装箱功能，安装类型设计用于表面安装，以及SOT-89-3供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为1W，该器件为PNP晶体管型，该器件具有600mA的电流收集器Ic Max，电压收集器发射极击穿最大值为150V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为60@10mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@5mA，50mA，电流收集器截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为300MHz，Pd功耗为1000 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-150 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-500 mV，集电极基极电压VCBO为-160 V，发射极基极电压VEBO为-5 V，最大直流集电极电流为-600mA，增益带宽乘积fT为300MHz，直流集电极基本增益hfe Min在-50mA-5V时为50。
DXT5551-13是TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3，包括160V集电极-发射极击穿最大值，设计用于200mV@5mA、50mA Vce饱和最大值Ib Ic，单位重量如数据表注释所示，用于0.001834 oz，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计用于NPN，以及SOT-89-3供应商设备包，该设备也可以用作DXT5551系列。此外，最大功率为1W，该设备提供1000 mW Pd功耗，该设备具有Digi-ReelR替代包装，包装箱为TO-243AA，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为600 mA，增益带宽乘积fT为300 MHz，频率转换为300MHz，发射极基极电压VEBO为6 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为80@10mA，5V，直流集电极基极增益hFE Min为30@50mA 5V，集电极Ic Max为600mA，集电极截止最大值为50nA（ICBO），配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为160V，集电极-发射器饱和电压为200mV，集极基极电压VCBO为180V。
DXT5551，电路图由DIODES制造。DXT5551采用SOT-89封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
