9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTN619MATA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTN619MATA参考价格为0.56000美元。Diodes Incorporated ZXTN619MATA包装/规格：TRANS NPN 50V 4A 3-DFN。您可以下载ZXTN619MATA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXTN617MATA是TRANS NPN 15V 4.5A 3-DFN，包括ZXTN617系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如3-UDFN，安装类型设计用于表面安装，以及DFN2020B-3供应商设备封装，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为3W，该器件为NPN晶体管型，该器件集电体Ic最大值为4.5A，集电体发射极击穿最大值为15V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@3A、2V，Vce饱和最大值Ib Ic为280mV@50mA、4.5A，集流体截止最大值为25nA，频率转换为120MHz，Pd功耗为1.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为15 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为200 mV，集电极基极电压VCBO为40 V，发射极基极电压VEBO为7 V，并且最大DC集电极电流为5A，并且增益带宽乘积fT为120MHz，并且连续集电极电流是4.5A。
ZXTN618MATA是TRANS NPN 20V 4.5A 3-DFN，包括20V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于在270mV@125mA、4.5A Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供晶体管极性功能，如NPN，供应商设备包设计用于DFN2020B-3以及ZXTN618系列，该器件也可以用作3W功率最大值。此外，Pd功耗为3W，该器件采用Digi-ReelR替代封装封装，该器件具有3-UDFN封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，增益带宽乘积fT为140MHz，频率转换为140MHz；发射极基极电压VEBO为7.5V；直流电流增益hFE Min Ic Vce为200@2A，2V，直流集电极基极增益hFE Min为100；集电极Ic Max为4.5A，集电极截止最大值为25nA，连续集电极电流为5A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为20V。
ZXTN5551ZTA是TRANS NPN 160V 0.6A SOT89，包括180 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在160 V集电极-发射极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，可用于单体，该单体提供直流集电极基极增益hfe Min功能，例如5 V时1 mA时80，5 V时10 mA时80、5 V时50 mA时30，DC电流增益hFE Max设计为在5V时在1mA时工作80，以及6V发射极基极电压VEBO，该器件也可以用作130MHz增益带宽产品fT。此外，最大DC集电极电流为0.6A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为SMD/SMT，包装箱为SOT-89，包装为卷筒，Pd功耗为1200mW，系列为ZXTN555，晶体管极性为NPN，单位重量为0.001834盎司。
