每个集成电路半导体封装两个晶体管。
UMZ2NTR
- 描述:晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 0.21833 | 655.01100 |
- 库存: 60000
- 单价: ¥0.19411
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.19
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规格参数
- 集电极击穿电压 50V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN，PNP
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 最大功率 150mW
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 最大集电极电流 (Ic) 150毫安
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 400mV @ 5毫安, 50毫安, 500mV @ 5毫安, 50毫安
- 最小直流增益 120@1毫安，6V
- 特征频率 180MHz、140MHz
- 供应商设备包装 UMT6
UMZ2NTR 产品详情
双双极晶体管
UMZ2NTR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | UMZSS5R5474N150816E | 容值：0.47F 精度：-0%~+30% 额定电压：5.5V | ¥3.41557 | |
| UMZSS5R5224N130614E | 容值：0.22F 精度：0%~+30% 额定电压：5.5V 等效串联电阻：700mΩ@1kHz 漏电流：3uA@72hrs | ¥3.42608 | |
| UMZSS5R5105N160814E | 容值：1F 精度：0%~+30% 额定电压：5.5V 等效串联电阻：280mΩ@1kHz 漏电流：10uA@72hrs | ¥3.342 | |
| UMZSS5R5205N160822E | 容值：2F 精度：0%~+30% 额定电压：5.5V 等效串联电阻：160mΩ@1kHz 漏电流：16uA@72hrs | ¥3.52067 | |
| UMZSS5R5155N160822E | 容值：1.5F 精度：0%~+30% 额定电压：5.5V 等效串联电阻：180mΩ@1kHz 漏电流：14uA@72hrs | ¥3.36302 | |
| UMZSS5R5224N130615E | 容值：0.22F 精度：0%~+30% 额定电压：5.5V 等效串联电阻：700mΩ@1kHz 漏电流：3uA@72hrs | ¥3.36302 | |
| UMZSS5R5355N221225E | 容值：3.5F 精度：-0%~+30% 额定电压：5.5V | ¥4.29836 | |
| UMZSS5R5474N150817E | 容值：0.47F 精度：-0%~+30% 额定电压：5.5V | ¥3.26844 | |
| UMZSS5R5505N221127E | 容值：5F 精度：-0%~+30% 额定电压：5.5V | ¥4.98148 | |
| UMZSS5R5255N201022E | 容值：2.5F 精度：0%~+30% 额定电压：5.5V 等效串联电阻：160mΩ@1kHz 漏电流：16uA@72hrs | ¥5.8958 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
