9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTN620MATA,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTN620MATA参考价格为0.56000美元。Diodes Incorporated ZXTN620MATA包装/规格:TRANS NPN 80V 3.5A 3-DFN。您可以下载ZXTN620MATA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXTN617MATA是TRANS NPN 15V 4.5A 3-DFN,包括ZXTN617系列,它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用,安装样式如数据表注释所示,用于SMD/SMT,提供封装盒功能,如3-UDFN,安装类型设计用于表面安装,以及DFN2020B-3供应商设备封装,该设备也可以用作单一配置。此外,功率最大值为3W,该器件为NPN晶体管型,该器件集电体Ic最大值为4.5A,集电体发射极击穿最大值为15V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@3A、2V,Vce饱和最大值Ib Ic为280mV@50mA、4.5A,集流体截止最大值为25nA,频率转换为120MHz,Pd功耗为1.5 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为15 V,晶体管极性为NPN,集电极/发射极饱和电压为200 mV,集电极基极电压VCBO为40 V,发射极基极电压VEBO为7 V,并且最大DC集电极电流为5A,并且增益带宽乘积fT为120MHz,并且连续集电极电流是4.5A。
ZXTN618MATA是TRANS NPN 20V 4.5A 3-DFN,包括20V电压集电极-发射极击穿最大值,它们设计用于在270mV@125mA、4.5A Vce饱和最大值Ib-Ic下工作,晶体管类型如数据表注释所示,用于NPN,提供晶体管极性功能,如NPN,供应商设备包设计用于DFN2020B-3以及ZXTN618系列,该器件也可以用作3W功率最大值。此外,Pd功耗为3W,该器件采用Digi-ReelR替代封装封装,该器件具有3-UDFN封装盒,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+150 C,增益带宽乘积fT为140MHz,频率转换为140MHz;发射极基极电压VEBO为7.5V;直流电流增益hFE Min Ic Vce为200@2A,2V,直流集电极基极增益hFE Min为100;集电极Ic Max为4.5A,集电极截止最大值为25nA,连续集电极电流为5A,配置为单一,集电极-发射极电压VCEO Max为20V。
ZXTN619MATA是TRANS NPN 50V 4A 3-DFN,包括50 V集电极-发射极电压VCEO Max,它们设计用于单配置,连续集电极电流如数据表注释所示,用于4 a,提供电流集电极截止最大值功能,如25nA,电流集电极Ic Max设计用于4A,以及100@2A,2V直流电流增益hFE最小Ic Vce,该器件也可用作7.5V发射极基极电压VEBO。此外,频率转换为165MHz,该器件提供165 MHz增益带宽产品fT,该器件的最大直流集电极电流为6 a,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围是-55 C,安装类型为表面安装,安装样式为SMD/SMT,封装盒为3-UDFN,封装为Digi-ReelR交替封装,Pd功耗为1.5W,功率最大值为3W,系列为ZXTN619,供应商器件封装为DFN2020B-3,晶体管极性为NPN,晶体管类型为NPN;Vce饱和最大值Ib-Ic为320mV@200mA,4A,电压集电极-发射极击穿最大值为50V。