NPN硅RF晶体管，适用于塑料、4工业发射极SOT143B封装中的高速、低噪声应用。
BFU530XRR是BFU5系列晶体管的一部分，适用于高达2GHz的小信号到中等功率应用。
特色
- 低噪声、高击穿RF晶体管
- AEC-Q101合格
- 900 MHz时的最小噪声系数（NFmin）=0.7 dB
- 900 MHz时的最大稳定增益21.5 dB
- 11 GHz fT硅技术
- 需要高电源电压和高击穿电压的应用
- 高达2GHz的宽带放大器
- ISM应用的低噪声放大器
- ISM波段振荡器
BFU530XR
- 描述:RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
- 品牌: 恩智浦 (NXP)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥58.20142
-
数量:
- +
- 总计: ¥58.20
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规格参数
- 晶体管类别 -
- 集电极击穿电压 -
- 特征频率 -
- 噪声系数 (dB) 频率 (f) -
- 增益 -
- 最大功率 -
- 最小直流增益 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 部件状态 可供货
- 制造厂商 恩智浦 (NXP)
BFU530XR 产品详情
BFU530XR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BFU520AR | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) | ¥2.20112 |
 | BFU630F,115 | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 200mW 特征频率: 21GHz 供应商设备包装: 4-DFP | ¥4.56303 |
 | BFU550XRR | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143R | ¥1.19725 |
 | BFU520WF | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SC-70 | ¥1.66448 |
 | BFU610F,115 | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10毫安 集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 136毫瓦 特征频率: 15GHz 供应商设备包装: 4-DFP | ¥3.04202 |
 | BFU520YX | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: 2 NPN（双） 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥5.18116 |
 | BFU530XAR | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 40毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143B | ¥2.89716 |
| BFU768F,115 | BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G | ¥0.97171 | |
| BFU550WF | BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R | ¥1.22101 | |
| BFU550WX | BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R | ¥2.12572 |
恩智浦 (NXP)
NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商，为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合，包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新，为工业和汽车应用提供强大的电源...
