中功率PNP硅大电流晶体管表面贴装
该PNP硅外延晶体管设计用于低电压、高电流应用。该设备安装在SOT−223封装中，专为中等功率表面安装应用而设计。
特色
•高电流：IC=−1.0 A
•SOT−223封装可使用波峰焊或回流焊进行焊接。
•SOT−223封装确保水平安装，从而改善热传导，并允许目视检查焊接接头。形成的引线在焊接过程中吸收热应力，消除了损坏管芯的可能性。
•NPN补体是BCP68
NSVBCP69T1G
- 描述:晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 1.5瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.96958 | 2.96958 |
| 10+ | 2.38291 | 23.82914 |
| 100+ | 1.62168 | 162.16850 |
| 500+ | 1.21608 | 608.04150 |
| 1000+ | 0.91209 | 912.09800 |
| 2000+ | 0.83655 | 1673.11000 |
- 库存: 38089
- 单价: ¥2.96959
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.97
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 即插即用
- 安装类别 表面安装
- 最大集电极电流 (Ic) 1A
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 20伏
- 集电极最大截止电流 10A（ICBO）
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 500mV @ 100毫安, 1A
- 最小直流增益 85 @ 500毫安, 1V
- 最大功率 1.5瓦
- 供应商设备包装 SOT-223 (TO-261)
- 特征频率 60MHz
NSVBCP69T1G 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | NSVR0230P2T5G | 安盛美 (onsemi) | 二极管种类: 肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 30伏 整流平均值 (Io): 200毫安（直流） 供应商设备包装: SOD-923 工作结温: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥1.0001 |
| NSVG1001MXTAG | RF SPDT SWITCH MMIC | ¥0.00 |
NSVBCP69T1G所属分类：分立双极结型晶体管，NSVBCP69T1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NSVBCP69T1G价格参考￥2.969589，你可以下载 NSVBCP69T1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NSVBCP69T1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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