9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVB143TPDXV6T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSVB143TPDXV6T1G参考价格为0.08000美元。onsemi NSVB143TPDXV6T1G包装/规格：TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563。您可以下载NSVB143TPDXV6T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSVB123JPDXV6T1G是TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563，其中包括NSBC123JPDXV6系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了用于SOT-563、SOT-666的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，该器件也可以用作1 NPN、1 PNP-预偏置（双）晶体管类型。此外，集电器Ic最大值为100mA，该设备提供50V电压集电器-发射极击穿最大值，该设备具有2.2k电阻基极R1欧姆，电阻发射极基极R2欧姆为4.7k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为250mV@300μa，10mA，集电器截止最大值为500nA。
带有用户指南的NSVB124XPDXV6T1G，包括50V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@1mA、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 NPN、1 PNP-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如SOT-563，系列设计用于NSBC124XPDXV6，该器件还可以用作22k电阻基极R1欧姆。此外，最大功率为500mW，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有SOT-563、SOT-666封装盒，安装类型为表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA、10V，电流收集器Ic最大值为100mA，电流收集器截止最大值为500nA。
带有电路图的NSVB114YPDXV6T1G，包括500nA集电器最大截止电流，它们设计用于100mA集电器Ic Max、DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于80@5mA、10V，提供表面安装等安装类型功能，封装盒设计用于SOT-563、SOT-666以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作500mW功率最大值。此外，电阻基极R1欧姆为10k，该器件提供47k电阻-发射极基极R2欧姆，该器件具有供应商器件封装的SOT-563，晶体管类型为1 NPN，1 PNP-预偏置（双），Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@300μa，10mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
