NPN硅微波晶体管采用塑料、4针双发射极SOT343F封装，提供创新的Ku波段DRO解决方案。
特点和优点
具有良好输出功率和极低电流消耗下的低相位噪声的DRO：5 dBm和12 mA时55 dBc/Hz/1 kHz
低成本LNA解决方案的低噪声、高增益
40 GHz fT硅技术
BFU668F,115
- 描述:TRANSISTOR NPN SOT343F
- 品牌: 恩智浦 (NXP)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.89716 | 2.89716 |
- 库存: 3
- 单价: ¥2.89716
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.90
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规格参数
- 部件状态 过时的
- 晶体管类别 -
- 集电极击穿电压 -
- 特征频率 -
- 噪声系数 (dB) 频率 (f) -
- 增益 -
- 最大功率 -
- 最小直流增益 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 工作温度 -
- 制造厂商 恩智浦 (NXP)
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 SOT-343F
- 供应商设备包装 4-DFP
BFU668F,115 产品详情
一般说明
BFU668F,115 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BFU520AR | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) | ¥2.20112 |
 | BFU630F,115 | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 200mW 特征频率: 21GHz 供应商设备包装: 4-DFP | ¥4.56303 |
 | BFU550XRR | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143R | ¥1.19725 |
 | BFU520WF | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SC-70 | ¥1.66448 |
 | BFU610F,115 | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10毫安 集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 136毫瓦 特征频率: 15GHz 供应商设备包装: 4-DFP | ¥3.04202 |
 | BFU520YX | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: 2 NPN（双） 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥5.18116 |
 | BFU530XAR | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 40毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143B | ¥2.89716 |
 | BFU768F,115 | BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G | ¥0.97171 | |
| BFU550WF | BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R | ¥1.22101 | |
| BFU550WX | BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R | ¥2.12572 |
恩智浦 (NXP)
NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商，为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合，包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新，为工业和汽车应用提供强大的电源...
