| FJV1845EMTF | | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 120伏 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 110兆赫 供应商设备包装: SOT-23 | ¥0.21729 |
| FJV1845FMTF | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 120伏 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 110兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥1.95558 |
| FJV3101RLIMTF | | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | ¥0.14486 |
| FJV92MTF | | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 350伏 特征频率: 50MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.21729 |
| FJV42MTF | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 350伏 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 50MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥3.04202 |
| FJV3105RMTF | 安盛美 (onsemi) | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | ¥0.21729 |
| FJV92MTF | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 350伏 特征频率: 50MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.21729 |
| FJV3101RMTF | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.21729 |
| FJV3105RMTF | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥1.23726 |
| FJV3113RMTF | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.76094 |