9icnet为您提供松下电子元件公司设计和生产的DMC5610N0R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMC5610N0R参考价格为0.35856美元。松下电子元件DMC5610N0R包装/规格：TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5。您可以下载DMC5610N0R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMC5610L0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表注释中显示了用于5-SMD扁平引线的封装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于SMINI5-F3-B，以及双配置，该器件还可以用作150mW功率最大值。此外，晶体管类型为2 NPN-预偏置（双）（发射极耦合），该器件提供100mA电流收集器Ic Max，该器件具有50V的电压收集器-发射极击穿最大值，电阻器基极R1欧姆为4.7k，电阻器发射极基极R2欧姆为4.7k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为20@5mA，10V，Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA，10mA，集电极截止最大值为500nA，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V，晶体管极性为NPN，连续集电极电流为100 mA，DC集电极基极增益hfe Min为20，典型输入电阻为4.7千欧，典型电阻比为1。
DMC5610M0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。典型输入电阻如数据表注释所示，用于2.2千欧，提供晶体管类型功能，如2 NPN-预偏置（双），晶体管极性设计为在NPN下工作，以及SMini5-F3-B供应商器件包，该器件也可以用作47k电阻发射极基极R2欧姆。此外，电阻器基极R1欧姆为2.2k，该器件的最大功率为150mW，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为5-SMD，扁平引线，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V，集电极Ic Max为100mA，集电极截止电流Max为500nA，连续集电极电流为100mA；配置为Dual，集电极-发射极电压VCEO Max为50V。
DMC5610E0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5，包括50 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计为以双配置运行，数据表注释中显示了用于100 mA的连续集电极电流，其提供了最大电流集电极截止功能，如500nA，集电极Ic Max设计为在100 mA下工作，10V直流电流增益hFE最小Ic Vce，其最大工作温度范围为+150℃。此外，安装类型为表面安装，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有5-SMD封装盒扁平引线，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为150mW，电阻底座R1欧姆为47k，电阻器-发射极基极R2欧姆为22k，供应商设备包为SMini5-F3-B，晶体管极性为NPN，晶体管类型为2 NPN-预偏置（双），典型输入电阻器为47k欧姆，Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@500μA，10mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
