9icnet为您提供松下电子元件公司设计和生产的DMC5610N0R,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMC5610N0R参考价格为0.35856美元。松下电子元件DMC5610N0R包装/规格:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5。您可以下载DMC5610N0R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如DMC5610N0R价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
DMC5610L0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5,包括磁带和卷轴(TR)封装,它们设计用于SMD/SMT安装方式,数据表注释中显示了用于5-SMD扁平引线的封装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备封装设计用于SMINI5-F3-B,以及双配置,该器件还可以用作150mW功率最大值。此外,晶体管类型为2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合),该器件提供100mA电流收集器Ic Max,该器件具有50V的电压收集器-发射极击穿最大值,电阻器基极R1欧姆为4.7k,电阻器发射极基极R2欧姆为4.7k,直流电流增益hFE最小Ic Vce为20@5mA,10V,Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA,10mA,集电极截止最大值为500nA,Pd功耗为150mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V,晶体管极性为NPN,连续集电极电流为100 mA,DC集电极基极增益hfe Min为20,典型输入电阻为4.7千欧,典型电阻比为1。
DMC5610M0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5,包括50V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在250mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。典型输入电阻如数据表注释所示,用于2.2千欧,提供晶体管类型功能,如2 NPN-预偏置(双),晶体管极性设计为在NPN下工作,以及SMini5-F3-B供应商器件包,该器件也可以用作47k电阻发射极基极R2欧姆。此外,电阻器基极R1欧姆为2.2k,该器件的最大功率为150mW,该器件具有Digi-ReelR交替封装,封装外壳为5-SMD,扁平引线,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,其最大工作温度范围为+150 C,直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA,10V,集电极Ic Max为100mA,集电极截止电流Max为500nA,连续集电极电流为100mA;配置为Dual,集电极-发射极电压VCEO Max为50V。
DMC5610E0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5,包括50 V集电极-发射极电压VCEO Max,它们设计为以双配置运行,数据表注释中显示了用于100 mA的连续集电极电流,其提供了最大电流集电极截止功能,如500nA,集电极Ic Max设计为在100 mA下工作,10V直流电流增益hFE最小Ic Vce,其最大工作温度范围为+150℃。此外,安装类型为表面安装,该器件采用SMD/SMT安装方式,该器件具有5-SMD封装盒扁平引线,封装为Digi-ReelR交替封装,最大功率为150mW,电阻底座R1欧姆为47k,电阻器-发射极基极R2欧姆为22k,供应商设备包为SMini5-F3-B,晶体管极性为NPN,晶体管类型为2 NPN-预偏置(双),典型输入电阻器为47k欧姆,Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@500μA,10mA,集电极-发射极击穿最大值为50V。