9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVBC114YPDXV6T1G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NSVBC114YPDXV6T1G参考价格为0.41000美元。onsemi NSVBC114YPDXV6T1G包装/规格：TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563。您可以下载NSVBC114YPDXV6T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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带有引脚细节的NSVBC114EPDXV6T1G，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于SOT-563、SOT-666封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-563，最大功率设计为500mW，以及1 NPN、1 PNP-预偏置（双）晶体管类型，该设备还可以用作100mA电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为50V，该设备提供10k电阻底座R1欧姆，该设备具有10k电阻发射器底座R2欧姆，直流电流增益hFE最小Ic Vce为35@5mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为250mV@300μa，10mA，电流收集器截止最大值为500nA。
带有用户指南的NSVBC114EDXV6T1G，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@300μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，数据表说明中显示了用于2 NPN-预偏置（双）的晶体管类型，提供了供应商设备包功能，如SOT-563，电阻器-发射极基极R2欧姆设计为10k，除了10k电阻基极R1欧姆外，该器件还可以用作500mW最大功率。此外，封装为磁带和卷轴（TR），该器件采用SOT-563、SOT-666封装盒，该器件具有安装型表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为35@5mA、10V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止值最大值为500nA。
NSVBC114YDXV6T1G是TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563，包括500nA集电器截止最大值，它们设计用于100mA集电器Ic最大值、直流电流增益hFE最小Ic Vce，如数据表注释所示，用于80@5mA、10V的环境，提供表面安装等安装类型功能，包装箱设计用于SOT-563、SOT-666、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作500mW最大功率。此外，电阻基极R1欧姆为10k，该器件提供47k电阻发射极基极R2欧姆，该器件具有SOT-563供应商器件封装，晶体管类型为2 NPN-预偏置（双），Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@300μa，10mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
