•内置基极-发射极分流电阻器的单片结构
•高直流电流增益:hFE=1000@V ce=4V,Ic=3A(最小值)
•集电极-发射极维持电压
•低集电极-发射极饱和电压
•工业用途
•补充TIP105/106/107
特色
- 高直流电流增益-hFE=2500(典型值)@IC=4.0 mAdc
- 集电极-发射极维持电压--@30 mAdcVCEO(sus)=60 Vdc(Min)-TIP100,TIP105VCEO(sus)=80 Vdc(Min)-TIP101,TIP106VCEO(sus)=100 Vdc(Mins)-TIP102,TIP107
- 低集电极-发射极饱和电压VCE(sat)=2.0 Vdc(最大值)@IC=3.0 AdcVCE(sat)=2.5 Vdc(最大)@IC=8.0 Adc
- 带有内置基极-发射极分流电阻器的单片结构
- TO-220 AB紧凑型封装
- 提供无铅包装
(图片:引出线)