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NSVEMX1DXV6T1G

  • 描述:晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 4000

数量 单价 合计
4000+ 0.83655 3346.22000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥0.83656
  • 数量:
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规格参数

  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 集电极击穿电压 50V
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 晶体管类别 2 NPN(双)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 最大功率 500mW
  • 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
  • 供应商设备包装 SOT-563
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 400mV @ 5毫安, 50毫安
  • 最小直流增益 120@1毫安,6V
  • 特征频率 180MHz
  • 集电极最大截止电流 500nA (ICBO)

NSVEMX1DXV6T1G 产品详情

此双NPN双极晶体管专为通用放大器应用而设计。该设备安装在SOT-563封装中,该封装专为低功率表面安装应用而设计,其中电路板空间非常大。

特色

  • 高hFE,210-460(典型)
  • 低VCE(sat),<0.5V
  • 无铅焊料电镀
  • 这些是无铅设备
  • 汽车和其他应用的NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求;AECQ101合格和PPAP能力

应用

  • 减少板空间


(图片:引出线)

NSVEMX1DXV6T1G所属分类:双极性晶体管阵列,NSVEMX1DXV6T1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NSVEMX1DXV6T1G价格参考¥0.836555,你可以下载 NSVEMX1DXV6T1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NSVEMX1DXV6T1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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