特色
- 1A IDC，2A ICM
- 高鲁棒性
- 低VCE（sat）：0.115V@1A IC，IC/IB=10
- 高能效
- NSV60101DMTWTBG-可湿侧包装装置
- 改进的AOI能力
- 1ADC时180的贝塔值，VCE=2V
- 高增益放大
- 汽车和其他应用的NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求；AEC-Q101合格和PPAP能力
- 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS标准
应用
- 低压侧开关
- 放大
- 汽车变速器控制单元
- 汽车发动机控制单元
- 娱乐系统
NSV60101DMR6T1G
- 描述:晶体管类别: 2 NPN（双） 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 530mW 供应商设备包装: SC-74 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 1.01400 | 3042.01800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥1.01401
-
数量:
- +
- 总计: ¥3,042.02
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规格参数
- 安装类别 表面安装
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 60V
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 晶体管类别 2 NPN（双）
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 最大集电极电流 (Ic) 1A
- 包装/外壳 SC-74，SOT-457
- 特征频率 200MHz
- 供应商设备包装 SC-74
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 200mV@100毫安，1A
- 最小直流增益 250@100毫安，5V
- 最大功率 530mW
NSV60101DMR6T1G 产品详情
ON Semiconductor的e2PowerEdge系列低VCE（sat）晶体管是微型表面安装器件，具有超低饱和电压（VCE（sat））和高电流增益能力，采用小尺寸2x2mm塑料无引线封装。这些设计用于低电压、高速开关应用，其中经济高效的能量控制非常重要。在汽车行业，它们可用于安全气囊部署和仪表盘。高电流增益允许e2PowerEdge设备直接从PMU的控制输出驱动，线性增益（Beta）使其成为模拟放大器中的理想组件。
NSV60101DMR6T1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NSVED07I3266BL | 泛达 (Panduit) | VERTICAL EXHAUST DUCT (VED) FOR | ¥1,321.8979 |
 | NSVMMBD354LT1G | 安盛美 (onsemi) | 二极管种类: 肖特基-1对公共阴极 最大反向峰值电压: 7V 最大功耗: 300毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
 | NSVP249SDSF3T1G | 安盛美 (onsemi) | 二极管种类: PIN-1对串联 最大反向峰值电压: 50V 最大功耗: 100 mW 最大电流: 50 mA 供应商设备包装: SC-70/MCP3 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
| NSVMMUN2132LT1G-M01 | 安盛美 (onsemi) | MMUN2132L - NSVMMUN2132 - DIGITA | ¥0.22294 |
| NSVMUN2132T1G | 安盛美 (onsemi) | MUN2132 - NSVMUN2132 - PNP BIPOL | ¥0.26364 |
| NSVMUN5216T1G | 安盛美 (onsemi) | MUN5216 - NSVMUN5216 - NPN BIPOL | ¥0.26364 |
| NSVMUN5116T1G-M02 | 安盛美 (onsemi) | NSVMUN5116 - DIGITAL BJT PNP - P | ¥0.26364 |
 | NSVR0170P2T5G | 安盛美 (onsemi) | 二极管种类: 肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 70 V 整流平均值 (Io): 70毫安 (DC) 供应商设备包装: SOD-923 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥1.0001 |
 | NSVR0230P2T5G | 安盛美 (onsemi) | 二极管种类: 肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 30伏 整流平均值 (Io): 200毫安（直流） 供应商设备包装: SOD-923 工作结温: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥1.0001 |
| NSVG1001MXTAG | RF SPDT SWITCH MMIC | ¥0.00 |
NSV60101DMR6T1G所属分类：双极性晶体管阵列，NSV60101DMR6T1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NSV60101DMR6T1G价格参考￥1.014006，你可以下载 NSV60101DMR6T1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NSV60101DMR6T1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
