该装置采用平面技术制造，具有“基岛”布局。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
特色
- 表面贴装TO-252电源包，带和卷轴
- 补充MJD32C型PNP
MJD31CJ
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 1.6瓦 特征频率: 3MHz 供应商设备包装: DPAK
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.33173 | 3.33173 |
| 10+ | 2.88267 | 28.82674 |
| 100+ | 2.14969 | 214.96930 |
| 500+ | 1.68904 | 844.52200 |
| 1000+ | 1.30517 | 1305.17100 |
| 2500+ | 1.19507 | 2987.69750 |
- 库存: 7601
- 单价: ¥3.33173
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.33
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 表面安装
- 集电极击穿电压 100伏
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功率 1.6瓦
- 集电极最大截止电流 1.A.
- 最大集电极电流 (Ic) 3A
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 375毫安时为1.2V，3A
- 供应商设备包装 DPAK
- 特征频率 3MHz
- 最小直流增益 25@1A，4V
MJD31CJ 产品详情
MJD31CJ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MJD200G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 1.4瓦 特征频率: 65MHz 供应商设备包装: DPAK | ¥5.07003 |
 | MJD117TF | POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10 | ¥2.03381 | |
 | MJD210G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 1.4瓦 特征频率: 65MHz 供应商设备包装: DPAK | ¥4.56303 |
 | MJD50G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 400伏 最大功率: 1.56瓦 特征频率: 10MHz 供应商设备包装: DPAK | ¥6.30132 |
 | MJD243G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 1.4瓦 特征频率: 40MHz 供应商设备包装: DPAK | ¥7.09804 |
| MJD112 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 暂无 | ¥1.28541 |
| MJD122 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 暂无 | ¥1.28425 |
| MJD122 TO-252-2 | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.81338 | |
| MJD112 TO-252-2 | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.81555 | |
| MJD31C TO-252-2 | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.89884 |
MJD31CJ所属分类：分立双极结型晶体管，MJD31CJ 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MJD31CJ价格参考￥3.331734，你可以下载 MJD31CJ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MJD31CJ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...
