特色
- 高直流电流增益FE=3500(典型值)@IC=4 Adc
- 200 mAdc VCEO(sus)时集电极-发射极维持电压=60 Vdc(最小值)2N6667 VCEO(sus)=80 Vdc(最小)-2N6668
- 低集电极-发射极饱和电压VCE(sat)=2 Vdc(最大)@IC=5 A
- 带有内置基极-发射极分流电阻器的单片结构
- TO-220AB紧凑型封装
- 对图1中2N6387、2N6388的补充。达林顿示意图
(图片:引出线)
起订量: 5
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
5+ | 11.29892 | 56.49462 |
10+ | 10.71949 | 107.19492 |
20+ | 10.14006 | 202.80120 |
50+ | 9.63305 | 481.65285 |
100+ | 9.34334 | 934.33410 |
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(图片:引出线)
40多年来,NTE Electronics,Inc.一直是高品质NTE和ECG品牌电气和电子元件的领先供应商。产品线包括半导体、继电器、电阻器、电容器、电缆扎带和线束管理产品、LED照明、光电子、电位器...