特色
- 高直流电流增益-hFE=2000（典型值）@IC=2.0 Adc
- 集电极-发射极维持电压-@100 mAdcVCEO（sus）=60 Vdc（最小值）-2N6035，2N6038VCEO（sus）=80 Vdc（最小）-2N603 6，2N6039
- 正向偏置第二击穿电流能力IS/b=1.5 Adc@25 Vdc
- 具有内置基极发射极电阻器的单片结构，以限制泄漏倍增
- 节省空间的高性价比to-225AA塑料包装
- 提供无铅包装
（图片：引出线）
2N6039
- 描述:晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: SOT-32-3
- 品牌: NTE电子 (NTE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 5
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.25575 | 2.25575 |
| 200+ | 0.87302 | 174.60460 |
| 500+ | 0.84233 | 421.16750 |
| 1000+ | 0.82719 | 827.19700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥1.52387
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.28
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 特征频率 -
- 安装类别 通孔
- 晶体管类别 NPN-达林顿
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 集电极最大截止电流 100A.
- 集电极击穿电压 80 V
- 最大集电极电流 (Ic) 4A
- 最大功率 40瓦
- 包装/外壳 至225AA，至126-3
- 供应商设备包装 SOT-32-3
- 最小直流增益 750 @ 2A, 3V
- 制造厂商 NTE电子 (NTE)
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 3V @ 40毫安, 4A
2N6039 产品详情
功率4 A，80 V NPN达林顿双极功率晶体管专为通用放大器和低速开关应用而设计。
2N6039 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N6058 | 中央半导体 (Central) | 2N6058 | ¥44.32655 |
| 2N6403TG | 安盛美 (onsemi) | 2N6403TG | ¥7.31533 |
 | 2N6397TG | 安盛美 (onsemi) | SILICON CONTROLLED RECTIFIER | ¥3.47659 |
 | 2N6073BG | 安盛美 (onsemi) | SENSITIVE GATE TRIACS | ¥2.10044 |
 | 2N6075AG | 安盛美 (onsemi) | SENSITIVE GATE TRIACS | ¥2.10044 |
 | 2N6292G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 70 V 最大功率: 40瓦 特征频率: 4MHz 供应商设备包装: TO-220 | ¥9.34334 |
 | 2N6488G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 15A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 1.8瓦 特征频率: 5MHz 供应商设备包装: TO-220 | ¥9.34334 |
 | 2N60G | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.74821 |
 | 2N65L | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.86971 |
| 2N60L | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.84727 |
2N6039所属分类：分立双极结型晶体管，2N6039 由 NTE电子 (NTE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N6039价格参考￥1.523870，你可以下载 2N6039中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N6039规格参数、现货库存、封装信息等信息！
NTE电子 (NTE)
40多年来，NTE Electronics，Inc.一直是高品质NTE和ECG品牌电气和电子元件的领先供应商。产品线包括半导体、继电器、电阻器、电容器、电缆扎带和线束管理产品、LED照明、光电子、电位器...
