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MJD32CG是TRANS PNP 100V 3A DPAK,包括MJD32C系列,它们设计用于管交替包装包装,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供to-252-3、DPAK(2引线+接线片)、SC-63等封装盒功能,安装类型设计用于表面安装,以及DPAK-3供应商设备封装,该设备也可以用作单一配置。此外,功率最大值为1.56W,该器件为PNP晶体管型,该器件具有3A的电流收集器Ic最大值,电压收集器发射极击穿最大值为100V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为10@3A,4V,Vce饱和最大值Ib Ic为1.2V@375mA,3A,电流收集器截止最大值为50μa,频率转换为3MHz,Pd功耗为1.56 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-65 C,集电极-发射极电压VCEO Max为100 V,晶体管极性为PNP,集电极/发射极饱和电压为1.2 V,集电极基极电压VCBO为100 V、发射极基极电压VEBO为5 V,并且最大DC集电极电流为3A,并且增益带宽乘积fT为3MHz,并且连续集电极电流是3A,并且DC集电极基本增益hfe Min为25。
MJD32C-13是TRANS PNP 100V 3A TO252-3L,包括PNP晶体管极性,它们设计用于MJD32C系列,Pd功耗如数据表注释所示,用于1560 mW,提供卷盘等包装功能,包装盒设计用于to-252(DPAK),以及SMD/SMT安装样式,其最低工作温度范围为-55 C,它的最大工作温度范围为+150℃,该设备的最大直流集电极电流为3 A,该设备具有3 MHz的增益带宽乘积fT,发射极基极电压VEBO为6 V,直流电流增益hFE Max为50,直流集电极基极增益hFE Min为10,配置为单一,集电极-发射极电压VCEO Max为100 V,集电极-发射极饱和电压为1.2V,集电极-基极电压VCBO为100V。
MJD32C-1G,电路图由ON/制造。MJD32C-1G提供251-252-89-223封装,是IC芯片的一部分。