这种新的第四代超低饱和晶体管利用Zetexmatrix结构结合先进的组装技术,提供极低的导通状态损耗。这使其成为高效、低压开关应用的理想选择。
ZXT13N20DE6TA
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 4.5 A 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 1.1瓦 特征频率: 96兆赫 供应商设备包装: SOT-23-6
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 5.21488 | 5.21488 |
10+ | 4.56302 | 45.63027 |
100+ | 3.49614 | 349.61480 |
500+ | 2.76389 | 1381.94550 |
1000+ | 2.21111 | 2211.11300 |
3000+ | 2.00382 | 6011.46300 |
6000+ | 1.95558 | 11733.49800 |
- 库存: 6384
- 单价: ¥5.21489
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数量:
- +
- 总计: ¥5.21
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 晶体管类别 NPN
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 安装类别 表面安装
- 集电极最大截止电流 100nA
- 集电极击穿电压 20伏
- 最小直流增益 300 @ 1A, 2V
- 最大功率 1.1瓦
- 包装/外壳 SOT-23-6
- 供应商设备包装 SOT-23-6
- 最大集电极电流 (Ic) 4.5 A
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 230VV@45毫安,4.5A
- 特征频率 96兆赫
ZXT13N20DE6TA 产品详情
ZXT13N20DE6TA所属分类:分立双极结型晶体管,ZXT13N20DE6TA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZXT13N20DE6TA价格参考¥5.214888,你可以下载 ZXT13N20DE6TA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZXT13N20DE6TA规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...