9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTN19060CGTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTN19060CGTA参考价格为0.85000美元。Diodes Incorporated ZXTN19060CGTA包装/规格：TRANS NPN 60V 7A SOT223。您可以下载ZXTN19060CGTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXTN19020DZTA是TRANS NPN 20V 7.5A SOT89，包括ZXTN190系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001834盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-243AA，以及表面安装型，该设备也可以用作SOT-89-3供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为2.4W，该设备具有晶体管型NPN，集电极Ic最大值为7.5A，集电极-发射极击穿最大值为20V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为300@100mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为200mV@375mA，7.5A，且集电极截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为160MHz，Pd功耗为4460mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为20 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为70 V，发射极基极电压VEBO为7 V，并且最大DC集电极电流为7.5A，增益带宽乘积fT为160MHz，并且DC集电极基本增益hfe Min在100mA时为300，在2V时为260，在2A时为150，在7.5A时为150。
ZXTN19055DZTA是TRANS NPN 55V 6A SOT89，包括55V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在250mV@600mA、6A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.001834盎司的晶体管，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计用于NPN，以及SOT-89-3供应商设备包，该设备也可以用作ZXTN190系列。此外，最大功率为2.1W，该器件提供2100 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-243AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为6A，增益带宽积fT为200MHz，频率转换为200MHz；发射极基极电压VEBO为7V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为250@10mA，2V，直流电压增益hFE Max为250，直流集电极基极增益hFE Min为250，2 mA时为250，集电极Ic最大值为6A，集电极截止值最大值为50nA（ICBO），配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为55V，集电极基极电压VCBO为150V。
ZXTN19060CFFTA是TRANS NPN 60V 5.5A SOT23F-3，包括160 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在60 V集电极-发射极电压VCEO最大值下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供直流集电极基基增益hfe最小值功能，例如2 V时在0.1 a时为200，2 V时为160，DC电流增益hFE Max设计用于200，以及7 V发射极基极电压VEBO，该器件也可以用作130 MHz增益带宽产品fT。此外，最大DC集电极电流为5.5 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为SOT-23F，封装为Reel，Pd功耗为2000mW，系列为ZXTN190，晶体管极性为NPN。
