9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTN2010ZTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTN2010ZTA参考价格为0.91000美元。Diodes Incorporated ZXTN2010ZTA包装/规格：TRANS NPN 60V 5A SOT89。您可以下载ZXTN2010ZTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXTN2010ASTZ是TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3，包括ZXTN201系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-226-3、to-92-3短体（成型引线）等包装箱功能，安装类型设计用于通孔以及to-92-3供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为1W，该器件为NPN晶体管型，该器件的集电极Ic最大值为4.5A，集电极-发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@2A、1V，Vce饱和最大值Ib Ic为210mV@200mA、5A，集电极截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为130MHz，Pd功耗为1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为150 V，发射极基极电压VEBO为7 V，最大直流集电极电流为4.5 A，并且增益带宽乘积fT为130MHz，并且连续集电极电流为4.5A，并且DC集电极基本增益hfe Min在1mA时为100，在1V时为100mA，在2A时为100V，在5A时为5V，在5V时为20A，在10V时为10V，并且DC电流增益hfe Max在10V下为100mA。
ZXTN2010GTA是TRANS NPN 60V 6A SOT223，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于在260mV@300mA、6A Vce饱和最大Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000282 oz，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计用于NPN，以及SOT-223供应商设备包，该设备也可以用作ZXTN2010系列。此外，功率最大值为3W，该器件提供3 W Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-261-4、TO-261AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为6A，增益带宽积fT为130MHz，频率转换为130MHz；发射极基极电压VEBO为7V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为100@2A，1V，直流电压增益hFE Max为100，直流集电极基极增益hFE Min为100，在1mA时为100，1 V时为100，且集电极Ic Max为6A，且集电极截止最大值为50nA（ICBO），且连续集电极电流为6A，并且配置为单集电极，且集极-发射极电压VCEO Max为60V，以及集电极基极电压VCBO为150V。
ZXTN2010Z，带有ZETEX制造的电路图。ZXTN2010Z以SOT89封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
