9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTP2013ZTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTP2013ZTA参考价格为0.91000美元。Diodes Incorporated ZXTP2013ZTA包装/规格：TRANS PNP 100V 3.5A SOT89。您可以下载ZXTP2013ZTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXTP2012ZTA是TRANS PNP 60V 4.3A SOT89，包括ZXTP2012系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001834盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-243AA，以及表面安装型，该设备也可以用作SOT-89-3供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为1.5W，该设备具有晶体管型PNP，集电极Ic最大值为4.3A，集电极-发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@2A，1V，Vce饱和最大值Ib Ic为215mV@500mA，5A，集电极截止最大值为20nA（ICBO），频率转换为120MHz，Pd功耗为2100 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-60 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-160 mV，集电极基极电压VCBO为-100 V，并且发射极基极电压VEBO为7V，最大DC集电极电流为4.3A，增益带宽乘积fT为120MHz，连续集电极电流是-4.3A，并且DC集电极基极增益hfe Min在1mA时为100，在1V时为100。
ZXTP2013GTA是TRANS PNP 100V 5A SOT223，包括100V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在340mV@400mA、4A Vce饱和最大Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000282 oz，提供PNP等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在PNP下工作，以及SOT-223供应商设备包，该设备也可以用作ZXTP201系列。此外，功率最大值为3W，该器件提供3 W Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-261-4、TO-261AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为5A，增益带宽积fT为125MHz，频率转换为125MHz；发射极基极电压VEBO为7V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为100@1A，1V，直流电压增益hFE Max为100，直流集电极基极增益hFE Min在10mA时为100，在1V时为100，集电极Ic最大值为5A，集电极截止值最大值为20nA（ICBO），连续集电极电流为-5A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为-100V，集电极/发射极饱和电压为-240mV，集极基极电压VCBO为-140V。
ZXTP2013Z，带有ZETEXA制造的电路图。ZXTP2013Z以SOT89封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
