9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTP2012GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTP2012GTA参考价格为0.87000美元。Diodes Incorporated ZXTP2012GTA封装/规格：TRANS PNP 60V 5.5A SOT223。您可以下载ZXTP2012GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXTP2012ASTZ是双极型晶体管-BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN，包括ZXTP20系列，它们设计为使用卷轴封装，安装方式如数据表说明所示，用于通孔，提供封装盒功能，如E线，配置设计为在单级工作，以及1000 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，该器件具有晶体管极性PNP，集电极基极电压VCBO为100 V，发射极基极电压VEBO为7 V，最大直流集电极电流为3.5 a，增益带宽乘积fT为120 MHz，并且DC集电极基极增益hfe最小值为100，并且DC电流增益hfe最大值为100。
ZXTP2012ASTOA是TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在400mA时工作210mV，4A Vce饱和最大值Ib-Ic，PNP中使用的晶体管类型如数据表注释所示，该PNP提供供应商设备包功能，如to-92-3，功率最大值设计为1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作TO-226-3、TO-92-3短体（成型引线）封装盒。此外，安装类型为通孔，该设备提供120MHz频率转换，该设备具有100@1A、1V的直流电流增益hFE最小Ic Vce，集电器Ic最大值为3.5A，集电器截止值最大值为20nA（ICBO）。
ZXTP2012G，带有ZETEX制造的电路图。ZXTP2012G采用SOT-223封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
