9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的TIP35E，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。TIP35E价格参考3.92000美元。NTE Electronics，Inc TIP35E封装/规格：T-NPN SI-PWR AMP。您可以下载TIP35E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TIP35CW是TRANS NPN 100V 25A TO-247，包括500V晶体管系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装类型特征，封装盒设计用于TO-247-3，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-247-3供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为125W，该设备具有晶体管型NPN，集电极Ic最大值为25A，集电极-发射极击穿最大值为100V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为10@15A，4V，Vce饱和最大值Ib Ic为4V@5A，25A，电流集电极截止最大值为1mA，频率转换为3MHz，Pd功耗为125000 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为100 V，晶体管极性为NPN PNP，集电极基极电压VCBO为100 V、发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为25 A，并且增益带宽乘积fT是3MHz，并且DC集电极基本增益hfe Min是25。
TIP35CP是双极晶体管-BJT互补功率晶体管，包括0.238311盎司的单位重量，它们设计为与NPN晶体管极性一起工作，系列如数据表注释所示，用于500V晶体管，具有125000 mW等Pd功耗特性，封装设计为在管中工作，以及to-3P封装盒，该器件也可以用作通孔安装型，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，该器件最大直流集电极电流为25 a，增益带宽积fT为3 MHz，发射极基极电压VEBO为5 V，直流电流增益hFE Max为25，并且DC集电极基极增益hfe Min在1.5A时在4V时为25，在15A时在5V时为10，并且配置为单，并且集电极-发射极电压VCEO Max为100V，并且集极基极电压VCBO为100V。
TIP35CW/TIP36CW，带有ST制造的电路图。TIP35CV/TIP36CV采用TO3P封装，是IC芯片的一部分。
