硅平面外延PNP晶体管
绝对最大额定值
1.集电极基极电压:VCBO=-60 V
2.集电极-发射极电压:VCEO=-40 V
3.发射极基极电压:VEBO=-5 V
4.连续集电极电流:IC=-600mA
5.TA=25°C时的总功耗:PD=600mW
6.TC=25°C时的总功耗:PD=3W
特征
1.硅平面外延PNP晶体管
2.CECC筛选选项
3.低噪声放大器
应用
1.一般用途
2.高速饱和开关
起订量: 5
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
5+ | 3.98359 | 19.91797 |
10+ | 3.78803 | 37.88037 |
20+ | 3.58523 | 71.70472 |
50+ | 3.38678 | 169.33900 |
100+ | 3.30638 | 330.63840 |
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硅平面外延PNP晶体管
绝对最大额定值
1.集电极基极电压:VCBO=-60 V
2.集电极-发射极电压:VCEO=-40 V
3.发射极基极电压:VEBO=-5 V
4.连续集电极电流:IC=-600mA
5.TA=25°C时的总功耗:PD=600mW
6.TC=25°C时的总功耗:PD=3W
特征
1.硅平面外延PNP晶体管
2.CECC筛选选项
3.低噪声放大器
应用
1.一般用途
2.高速饱和开关
40多年来,NTE Electronics,Inc.一直是高品质NTE和ECG品牌电气和电子元件的领先供应商。产品线包括半导体、继电器、电阻器、电容器、电缆扎带和线束管理产品、LED照明、光电子、电位器...