CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3583系列器件是为高速开关和高压放大器应用而设计的硅NPN晶体管。
（图片：引出线）
2N3584
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 250伏 最大功率: 35瓦 供应商设备包装: TO-66
- 品牌: NTE电子 (NTE)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 5
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 5+ | 41.79153 | 208.95766 |
| 10+ | 39.69109 | 396.91092 |
| 20+ | 37.59065 | 751.81302 |
| 50+ | 35.49021 | 1774.51050 |
| 100+ | 34.69349 | 3469.34910 |
- 库存: 19
- 单价: ¥41.79153
-
数量:
- +
- 总计: ¥208.96
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 特征频率 -
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 通孔
- 最大集电极电流 (Ic) 2A
- 工作温度 -65摄氏度~200摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 250伏
- 制造厂商 NTE电子 (NTE)
- 集电极最大截止电流 5毫安
- 包装/外壳 至213AA，至66-2
- 供应商设备包装 TO-66
- 最大功率 35瓦
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 750mV @ 125毫安, 1A
- 最小直流增益 25@1A，10V
2N3584 产品详情
说明：
CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3583系列器件是为高速开关和高压放大器应用而设计的硅NPN晶体管。
CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3583系列器件是为高速开关和高压放大器应用而设计的硅NPN晶体管。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | 2N3906RLRP | 安盛美 (onsemi) | TRANS SS PNP GP 40V 200MA TO-92 | ¥0.14486 |
 | 2N3055G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 15A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 115瓦 特征频率: 2.5兆赫 供应商设备包装: TO-204 (TO-3) | ¥34.25892 |
 | 2N3055AG | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 15A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 115瓦 特征频率: 6MHz 供应商设备包装: TO-204 (TO-3) | ¥49.10686 |
2N3584所属分类：分立双极结型晶体管，2N3584 由 NTE电子 (NTE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N3584价格参考￥41.791533，你可以下载 2N3584中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N3584规格参数、现货库存、封装信息等信息！
NTE电子 (NTE)
40多年来，NTE Electronics，Inc.一直是高品质NTE和ECG品牌电气和电子元件的领先供应商。产品线包括半导体、继电器、电阻器、电容器、电缆扎带和线束管理产品、LED照明、光电子、电位器...
