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PMZB290UNE2YL，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于3-XFDFN包装盒，数据表说明中显示了用于Si的技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作DFN1006B-3供应商设备包。此外，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，该器件的最大功率为350mW，该器件具有1个晶体管型N沟道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为46pF@10V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.2A（Ta），最大Id Vgs为320mOhm@1.2A，4.5V，Vgs的最大Id为950mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.4nC@4.5V，晶体管极性为N沟道。
PMZB290UNE，315是MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3，包括950mV@250μA Vgs和最大Id，它们设计用于3-DFN1006B（0.6x1）供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于380 mOhm@500mA，4.5V，提供功率最大特性，如360mW，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供83pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有0.68nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为1A（Ta）。
PMZB350UPE，315，带电路图，包括1A（Ta）电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型功能，如MOSFET P沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，设计为在1.9nC@4.5V下工作，除了127pF@10V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用3-XFDFN封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为360mW，最大Id Vgs的Rds为450mOhm@300mA，4.5V，供应商设备包为3-DFN1006B（0.6x1），Vgs th Max Id为950mV@250μA。
PMZB320UPEYL带有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
