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BSR302N L6327是MOSFET N-Ch 30V 3.7A SOT-23-3，包括BSR302系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL 6327XT SP000257785，提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-23-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.2 ns，上升时间为3.2纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为3.7A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为23mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16.2ns，典型接通延迟时间为6.8ns，Qg栅极电荷为1.6nC，沟道模式为增强。
BSR302NL6327和SON/INFINEON制造的用户指南。BSR302NL6327在SC59封装中提供，是FET的一部分-单个。
带有NXP制造的电路图的BSR31。BSR31采用SOT89封装，是IC芯片的一部分。
