9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的2N4123，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。2N4123参考价格0.12600美元。NTE Electronics，Inc 2N4123封装/规格：T-NPN SI-GEN PUR AMP。您可以下载2N4123英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N4119A-2，带有引脚细节，包括散装封装，其设计用于通孔安装样式，数据表注释中显示了用于to-206AF、to-72-4金属罐的封装盒，该金属罐提供通孔等安装类型功能，供应商设备封装设计用于to-206A F（to-72），以及单一配置，该器件也可以用作N沟道FET型。此外，最大功率为300mW，该器件提供40V电压击穿V BRGSS，该器件具有200μa@10V的电流漏Idss Vds Vgs=0，电压截止Vgs关闭Id为2V@1nA，输入电容Ciss Vds为3pF@10V，晶体管极性为N沟道，Vgs栅源击穿电压为-40 V。
2N4119A-E3是MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF，包括2V@1nA电压切断VGS关断Id，它们设计用于40V电压击穿V BRGSS，数据表说明中显示了用于TO-206A F（TO-72）的供应商设备包，其提供最大功率功能，如300mW，包装设计用于批量工作，该装置也可以用作通孔安装型。此外，输入电容Ciss Vds为3pF@10V，该器件为N沟道FET型，该器件具有200μa@10V的漏电流Idss Vds Vgs=0。
2N4121，带有FCS制造的电路图。2N4121采用CAN3封装，是片式电阻器-表面安装的一部分。
