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ZXTN19100CFFTA是TRANS NPN 100V 4.5A SOT23F-3，包括ZXTN19100系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001721盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于SOT-23-3扁平引线，以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23F供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为1.5W，该设备具有晶体管型NPN，集电极Ic最大值为4.5A，集电极-发射极击穿最大值为100V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@100mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为235mV@450mA，4.5A，且集电极截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为150MHz，Pd功耗为16W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为100 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为60 mV，集电极基极电压VCBO为200 V，且发射极基极电压VEBO为7V，且最大DC集电极电流为4.5A，且增益带宽乘积fT为150MHz，且连续集电极电流是4.5A，并且DC集电极基极增益hfe Min为200，且DC电流增益hfe Max为500。
ZXTN19100CZTA是TRANS NPN 100V 5.25A SOT89，包括0.004603 oz单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于ZXTN19100，具有4460 mW等Pd功耗功能，包装设计用于卷筒，以及SOT-89-3封装盒，该设备也可作为SMD/SMT安装类型使用，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为5.25 a，增益带宽乘积fT为150 MHz，发射极基极电压VEBO为7 V，直流电流增益hFE Max为500（100 mA，2 V），直流集电极基极增益hFE Min为30（5.25 a），并且连续集电极电流为5.25A，并且配置为单集电极-发射极电压VCEO Max为100V，集电极-发射器饱和电压为65mV，集电极基极电压VCBO为200V。
ZXTN19100CGTA是TRANS NPN 100V 5.5A SOT223，包括200 V集电极基极电压VCBO，它们设计为与100 V集电极-发射极电压VCEO Max一起工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供直流集电极基基增益hfe Min功能，如100 mA时200，2 V时130，1 a时2 V，直流电流增益hfe Max设计为200，除了7 V发射极基极电压VEBO外，该器件还可以用作150 MHz增益带宽产品fT。此外，最大直流集电极电流为5.5 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为SOT-223，包装为卷筒式，Pd功耗为5300mW，系列为ZXTN191，晶体管极性为NPN，单位重量为0.000282盎司。
ZXTN2005，采用ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZXTN2005以SOT-89封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
