该器件采用低压多外延平面技术制造。它们适用于一般用途的线性和开关应用。
特色
- 这些设备符合汽车应用的要求
- 快速切换速度
- 低集电极-发射极饱和电压
- 磁带和卷轴中的表面安装TO-252（DPAK）电源组件（后缀“T4\”）
MJD44H11T4-A
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 8 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 20瓦 供应商设备包装: DPAK
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.28731 | 5.28731 |
| 2500+ | 3.56930 | 8923.25250 |
- 库存: 0
- 单价: ¥5.28732
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.29
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 特征频率 -
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 80 V
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 集电极最大截止电流 10A.
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 供应商设备包装 DPAK
- 最大集电极电流 (Ic) 8 A
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 1伏@400毫安，8A
- 最小直流增益 40 @ 4A, 1V
- 最大功率 20瓦
MJD44H11T4-A 产品详情
MJD44H11T4-A 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MJD200G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 1.4瓦 特征频率: 65MHz 供应商设备包装: DPAK | ¥5.07003 |
 | MJD117TF | POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10 | ¥2.03381 | |
 | MJD210G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 1.4瓦 特征频率: 65MHz 供应商设备包装: DPAK | ¥4.56303 |
 | MJD50G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 400伏 最大功率: 1.56瓦 特征频率: 10MHz 供应商设备包装: DPAK | ¥6.30132 |
 | MJD243G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 1.4瓦 特征频率: 40MHz 供应商设备包装: DPAK | ¥7.09804 |
| MJD112 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 暂无 | ¥1.28541 |
| MJD122 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 暂无 | ¥1.28425 |
| MJD122 TO-252-2 | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.81338 | |
| MJD112 TO-252-2 | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.81555 | |
| MJD31C TO-252-2 | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.89884 |
MJD44H11T4-A所属分类：分立双极结型晶体管，MJD44H11T4-A 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MJD44H11T4-A价格参考￥5.287317，你可以下载 MJD44H11T4-A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MJD44H11T4-A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
