9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTP2013GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTP2013GTA参考价格为0.87000美元。Diodes Incorporated ZXTP2013GTA封装/规格：TRANS PNP 100V 5A SOT223。您可以下载ZXTP2013GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXTP2012GTA是TRANS PNP 60V 5.5A SOT223，包括ZXTP2012系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备以3W功率最大值提供，该设备具有晶体管型PNP，集电器Ic最大值为5.5A，集电器发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@2A，1V，Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@500mA，5A，集电器截止最大值为20nA（ICBO），频率转换为120MHz，Pd功耗为3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-60 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-195 mV，集电极基极电压VCBO为-100 V，并且发射极基极电压VEBO为7V，最大DC集电极电流为5.5A，增益带宽乘积fT为120MHz，连续集电极电流是-5.5A，并且DC集电极基极增益hfe Min在1mA时为100，在1V时为100。
ZXTP2012ZTA是TRANS PNP 60V 4.3A SOT89，包括60V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在215mV@500mA、5A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.001834盎司的晶体管，提供PNP等晶体管类型功能，晶体管极性设计用于PNP，以及SOT-89-3供应商设备包，该设备也可以用作ZXTP2012系列。此外，最大功率为1.5W，该器件提供2100 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-243AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为4.3A，增益带宽积fT为120MHz，频率转换为120MHz；发射极基极电压VEBO为7V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为100@2A，1V，直流电压增益hFE Max为100，直流集电极基极增益hFE Min在1mA时为100，在1V时为100，集电极Ic最大值为4.3A，集电极截止最大值为20nA（ICBO），连续集电极电流为-4.3A，配置为单体，集电极-发射极电压VCEO最大值为-60 V，集电极/发射极饱和电压为-160 mV，集电极基极电压VCBO为-100 V。
ZXTP2012Z，带有ZETEX制造的电路图。ZXTP2012Z采用SOT-89封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
