9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的2N3585，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。2N3585参考价格$3.08000。NTE Electronics，Inc 2N3585封装/规格：TRANS NPN 300V 2A TO66。您可以下载2N3585英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N3583是TRANS NPN 175V 1A TO-66，包括2N3583系列，它们设计用于管式包装，安装方式如数据表注释所示，用于螺柱，提供TO-66等包装箱功能，Pd功耗设计用于35 W，最大工作温度范围+200 C，最小工作温度范围-65 C。此外，集电极-发射极电压VCEO Max为175 V，该器件采用NPN晶体管极性，该器件具有5 V的集电极-发射器饱和电压，集电极基极电压VCBO为250 V，发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为1 a，增益带宽积fT为10 MHz，连续集电极电流1 a，并且DC集电极基极增益hfe Min在1A 10V时为10。
2N3584是双极晶体管-BJT NPN高功率晶体管，包括NPN晶体管极性，它们设计为与2N3584系列一起工作，Pd功耗显示在数据表注释中，用于35 W，提供管等封装功能，封装盒设计为在to-66中工作，以及螺柱安装型，其最低工作温度范围为-65 C，它的最大工作温度范围为+200℃，该器件的最大直流集电极电流为2 A，该器件具有10 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为6 V，直流集电极基极增益hfe Min在1 A 10 V时为25，集电极-发射极电压VCEO Max为250 V，集电极/发射极饱和电压为750 mV，集电极基极电压VCBO为375V。
2N3570带有TI制造的电路图。2N3570采用CAN-4封装，是片式电阻器-表面安装的一部分。
