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ZXTN649FTA是TRANS NPN 25V 3A SOT23，包括ZXTN649系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23-3供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为725mW，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为3A，集电器-发射极击穿最大值为25V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@100mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为300mV@300mA，3A，集电器截止最大值为50nA（ICBO），Pd功耗为725mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为25 V，晶体管极性为NPN，集电极发射极饱和电压为200 mV，集电极基极电压VCBO为35 V，发射极基极电压VEBO为7 V，并且最大DC集电极电流为3A，并且连续集电极电流是3A。
ZXTN620MATA是TRANS NPN 80V 3.5A 3-DFN，包括80V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在325mV@300mA、3.5A Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供晶体管极性功能，如NPN，供应商设备包设计用于DFN2020B-3以及ZXTN620系列，该器件也可以用作3W功率最大值。此外，Pd功耗为1.5 W，该器件采用Digi-ReelR交替封装封装，该器件具有3-UDFN封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为5A，增益带宽积fT为160MHz，频率转换为160MHz；发射极基极电压VEBO为7.5V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为300@200mA，2V，集电极Ic最大值为3.5A，集电极截止值最大值为25nA，连续集电极电流是3.5A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为80V。
ZXTN619MATA是TRANS NPN 50V 4A 3-DFN，包括50 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于单配置，连续集电极电流如数据表注释所示，用于4 a，提供电流集电极截止最大值功能，如25nA，电流集电极Ic Max设计用于4A，以及100@2A，2V直流电流增益hFE最小Ic Vce，该器件也可用作7.5V发射极基极电压VEBO。此外，频率转换为165MHz，该器件提供165 MHz增益带宽产品fT，该器件的最大直流集电极电流为6 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，安装类型为表面安装，安装样式为SMD/SMT，封装盒为3-UDFN，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为1.5W，功率最大值为3W，系列为ZXTN619，供应商器件封装为DFN2020B-3，晶体管极性为NPN，晶体管类型为NPN；Vce饱和最大值Ib-Ic为320mV@200mA，4A，电压集电极-发射极击穿最大值为50V。
ZXTNS618MCTA是TRANS NPN 20V 4.5A DFN，包括ZXTNS61系列，它们设计用于表面安装安装型，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN+二极管（隔离），提供晶体管极性功能，如NPN，封装设计用于Digi-ReelR替代封装，以及8-WDFN暴露焊盘封装外壳，该设备也可以用作8-DFN（3x2）供应商设备包。此外，集电器Ic最大值为4.5A，该设备提供3W功率最大值，该设备具有270mV@125mA，4.5A Vce饱和最大值Ib Ic，集电器截止最大值为25nA，集电器发射极击穿最大值为20V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2A，2V，频率转换为140MHz。
