这些器件采用平面技术制造，具有“基岛”布局和单片达林顿配置。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
特色
- 低集电极-发射极饱和电压
- 集成反并联集电极-发射极二极管
MJD122-1
- 描述:晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 8 A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 20瓦 供应商设备包装: TO-251 (IPAK)
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.38775 | 7.38775 |
| 10+ | 6.57655 | 65.76553 |
| 100+ | 5.12797 | 512.79730 |
| 500+ | 4.23608 | 2118.04100 |
| 1000+ | 3.68084 | 3680.84200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.66347
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.39
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 特征频率 -
- 安装类别 通孔
- 晶体管类别 NPN-达林顿
- 集电极击穿电压 100伏
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 集电极最大截止电流 10A.
- 最大集电极电流 (Ic) 8 A
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 4V @ 80毫安, 8A
- 最小直流增益 1000@4A，4V
- 最大功率 20瓦
- 包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备包装 TO-251 (IPAK)
MJD122-1 产品详情
MJD122-1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MJD200G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 1.4瓦 特征频率: 65MHz 供应商设备包装: DPAK | ¥5.07003 |
 | MJD117TF | POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10 | ¥2.03381 | |
 | MJD210G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 1.4瓦 特征频率: 65MHz 供应商设备包装: DPAK | ¥4.56303 |
 | MJD50G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 400伏 最大功率: 1.56瓦 特征频率: 10MHz 供应商设备包装: DPAK | ¥6.30132 |
 | MJD243G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 1.4瓦 特征频率: 40MHz 供应商设备包装: DPAK | ¥7.09804 |
| MJD112 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 暂无 | ¥1.28541 |
| MJD122 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 暂无 | ¥1.28425 |
| MJD122 TO-252-2 | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.81338 | |
| MJD112 TO-252-2 | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.81555 | |
| MJD31C TO-252-2 | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.89884 |
MJD122-1所属分类：分立双极结型晶体管，MJD122-1 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MJD122-1价格参考￥6.663468，你可以下载 MJD122-1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MJD122-1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
