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DN3145N8-G是MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为在0.001862盎司单位重量的情况下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-243AA等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-243AA（SOT-89）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为450V，输入电容Cis-Vds为120pF@25V，FET特性为耗尽模式，电流连续漏极Id 25°C为100mA（Tj），最大Id Vgs的Rds为60 Ohm@100mA，0V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为100mA，Vds漏极-源极击穿电压为450V，Rds导通漏极-漏极电阻为60欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为耗尽。
DN32W5R104K100BT，带有KYOCERA制造的用户指南。DN32W5R104K100BT采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
DN3325，电路图由DN制造。DN3325在MSOP8封装中提供，是固定电感器的一部分。
