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TN5335K1-G是MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOT-23-3，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供360 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为110 mA，Vds漏极-源极击穿电压为350V，Rds漏极漏极-漏极电阻为15欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强。
TN5335N8-G是MOSFET 350V 15Ohm，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在350 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001862盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以15 ns上升时间提供，器件具有15欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.6W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-89-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为230 mA，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
TN5325N8-G是MOSFET N-CH 250V 0.316A SOT89-3，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于15 ns，提供Id连续漏电流功能，如316 mA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用SOT-89-3封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为1.6W，Rds漏极-源极电阻为7欧姆，上升时间为15ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.001862oz，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极电压为20V。
