9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DXT2011P5Q-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DXT2011P5Q-13参考价格为0.75000美元。Diodes Incorporated DXT2011P5Q-13封装/规格：PWR低SAT晶体管PDI5。您可以下载DXT2011P5Q-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DXT13003EK-13，带有引脚细节，包括DXT13003系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252，以及单一配置，该设备也可用作3.9 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为460 V，晶体管极性为NPN，集电极-发射器饱和电压为400 mV，发射极基极电压VEBO为9 V，最大直流集电极电流为3 a，增益带宽乘积fT为4 MHz，并且连续集电极电流为1.5A，并且DC集电极基极增益hfe Min在1A2V时为5，并且DC电流增益hfe Max为30。
带有用户指南的DXT13003DK-13，包括NPN晶体管极性，它们设计用于DXT13003系列，Pd功耗显示在数据表注释中，用于3.9 W，提供卷轴等封装功能，封装盒设计用于TO252-3（DPAK）以及SMD/SMT安装样式，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，该器件的最大直流集电极电流为1.5 A，该器件具有4 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为9 V，直流电流增益hFE Max在2 V时为1 A时为25，直流集电极基极增益hFE Min在2 V下为1 A下为5，配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为450 V，集电极-发射极饱和电压为0.4V。
DXT2010P5-13是由Diodes制造的“双极晶体管-BJT双极TRANS”。DXT2010P5-13采用PowerDI-5封装，是双极（BJT）-RF晶体管的一部分，并支持“双极晶体管-BJT双极TRANS，双极（BJ）晶体管NPN 60V 6A 130MHz 3.2W表面安装PowerDI”？5，Trans GP BJT NPN 60V 6A 3200mW汽车3引脚（3+Tab）PowerDI 5 T/R，双极晶体管-BJT双极晶体管，NPN 60V，6A。
