9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTN2018FQTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTN2018FQTA参考价格0.69000美元。Diodes Incorporated ZXTN2018FQTA封装/规格：PWR LOW TRANSISTOR SOT23。您可以下载ZXTN2018FQTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXTN2011ZTA是TRANS NPN 100V 4.5A SOT89，包括ZXTN2011系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001834盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-243AA，以及表面安装型，该设备也可以用作SOT-89-3供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为2.1W，该设备具有晶体管型NPN，集电极Ic最大值为4.5A，集电极-发射极击穿最大值为100V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@2A，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为195mV@500mA，5A，集电极截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为130MHz，Pd功耗为2100 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为100 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为200 V，发射极基极电压VEBO为7 V，并且最大DC集电极电流为4.5A，增益带宽积fT为130MHz，连续集电极电流是4.5A，并且DC集电极基本增益hfe Min在10mA时为100，在2V时为100。
ZXTN2010ZTA是TRANS NPN 60V 5A SOT89，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300mA时工作230mV，6A Vce饱和最大Ib Ic，单位重量如数据表注释所示，用于0.001834 oz，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在NPN中工作，以及SOT-89-3供应商设备包，该设备也可以用作ZXTN2010系列。此外，最大功率为2.1W，该器件提供2100 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-243AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为5A，增益带宽积fT为130MHz，频率转换为130MHz；发射极基极电压VEBO为7V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为100@2A，1V，直流电压增益hFE Max为100，直流集电极基极增益hFE Min为100，在1mA时为100，1 V时为100，且集电极Ic Max为5A，且集电极截止电流Max为50nA（ICBO），且连续集电极电流为5A，并且配置为单集电极，集电极-发射极电压VCEO Max为60V，且集极基极电压VCBO为150V。
ZXTN2011GTA是TRANS NPN 100V 6A SOT223，包括200 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在100 V集电极-发射极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供连续集电极电流功能，如6 a，直流集电极基极增益hfe Min设计为在2 V时在10 mA时工作100，在2 V下工作100，2 A时工作200，2 V时工作30，5 A时工作2 V，10 A时工作10，2 V，以及100直流电流增益hfe Max，该器件也可用作7 V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为130 MHz，该器件的最大直流集电极电流为6 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为SOT-223，封装为卷轴式，Pd功耗为3 W，系列为ZXTN201，晶体管极性为NPN，单位重量为0.000282盎司。
ZXTN2012Z带有EDA/CAD模型ZXTN2012Z以SOT89封装形式提供，是IC芯片的一部分。
