MJD127T4

Name: MJD127T4
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7101812-MJD127T4
Price: 4.666195 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:晶体管类别: PNP-达林顿最大集电极电流 (Ic): 8 A 集电极击穿电压: 100伏最大功率: 20瓦供应商设备包装: DPAK
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

展开

起订量: 1

数量	单价	合计
1+	4.66619	4.66619
10+	3.93053	39.30534
30+	3.57321	107.19636
100+	3.20538	320.53820
500+	2.99519	1497.59650
1000+	2.87958	2879.58900

库存: 0
单价: ¥4.66620
数量:
- +
总计: ¥4.67

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

部件状态可供货
特征频率 -
安装类别表面安装
集电极击穿电压 100伏
工作温度 150摄氏度（TJ）
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
集电极最大截止电流 10A.
晶体管类别 PNP-达林顿
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
供应商设备包装 DPAK
最大集电极电流 (Ic) 8 A
最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 4V @ 80毫安, 8A
最小直流增益 1000@4A，4V
最大功率 20瓦

MJD127T4 产品详情

这些器件采用平面技术制造，具有“基岛”布局和单片达林顿配置。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。

特色

低集电极-发射极饱和电压
集成反并联集电极-发射极二极管

MJD127T4 相关器件

型号	制造商	描述	价格
MJD200G	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏最大功率: 1.4瓦特征频率: 65MHz 供应商设备包装: DPAK	¥5.07003
MJD117TF		POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10	¥2.03381
MJD210G	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: 即插即用最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏最大功率: 1.4瓦特征频率: 65MHz 供应商设备包装: DPAK	¥4.56303
MJD50G	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 400伏最大功率: 1.56瓦特征频率: 10MHz 供应商设备包装: DPAK	¥6.30132
MJD243G	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 100伏最大功率: 1.4瓦特征频率: 40MHz 供应商设备包装: DPAK	¥7.09804
MJD112	江苏长电/长晶 (CJ)	暂无	¥1.28541
MJD122	江苏长电/长晶 (CJ)	暂无	¥1.28425
MJD122 TO-252-2	江苏长电/长晶 (CJ)		¥0.81338
MJD112 TO-252-2	江苏长电/长晶 (CJ)		¥0.81555
MJD31C TO-252-2	江苏长电/长晶 (CJ)		¥0.89884

MJD127T4所属分类：分立双极结型晶体管，MJD127T4 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MJD127T4价格参考￥4.666195，你可以下载 MJD127T4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MJD127T4规格参数、现货库存、封装信息等信息！