该器件采用“基地岛”布局,采用低压PNP平面技术制造。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
特色
- 极低的集电极到发射极饱和电压
- 5A连续集电极电流
- 直流电流增益,h铁>100
- 符合2002/93/EC欧洲指令
- 磁带和卷轴包装中的表面安装DPAK(TO-252)电源组件
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 4.49059 | 4.49059 |
10+ | 3.95462 | 39.54623 |
100+ | 3.03187 | 303.18780 |
500+ | 2.39696 | 1198.48250 |
1000+ | 1.97861 | 1978.61500 |
2500+ | 1.97861 | 4946.53750 |
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该器件采用“基地岛”布局,采用低压PNP平面技术制造。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
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